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J-GLOBAL ID：201202206724151684   整理番号：12A0396441

電気化学法で合成したZnO薄膜の電気及び光学特性に及ぼすアニーリングの影響

Annealing effects on electrical and optical properties of ZnO thin films synthesized by the electrochemical method

著者 (4件)： YOON Sanghwa (Dep. of Materials Engineering, Hanyang Univ., Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, KOR) ,  HUH Ilgoo (Dep. of Materials Engineering, Hanyang Univ., Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, KOR) ,  LIM Jae-hong (Electrochemistry Res. Group, Materials Processing Div., Korea Inst. of Materials Sci., Changwon-si, Gyeongnam ...) ,  YOO Bongyoung (Dep. of Materials Engineering, Hanyang Univ., Ansan-si, Gyeonggi-do 426-791, KOR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 12  号： 3  ページ： 784-788  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液浴から定電位で電気堆積したZnO薄膜の微構造及び電気特性をAr及び5%H₂/Ar雰囲気中で温度を変えてアニールした後に調べた。吸収領域の波長を計算して,アニーリングに従ってZnO膜厚のバンドギャップエネルギーが3.42から3.27~3.29eVに減少することを確認した。低温でアニールすると雰囲気中のZn(OH)₂が消失してZnO薄膜のシート抵抗が減少した。さらに,5%H₂雰囲気中でのアニーリングによりZnO薄膜のシート抵抗が減少して,水素還元によりキャリア濃度が増加した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  電着 ,  *薄膜成長 ,  雰囲気 ,  アルゴン ,  水素 ,  混合気体 ,  *焼なまし ,  温度依存性 ,  光透過 ,  バンドギャップ ,  シート抵抗 ,  キャリア密度 ,  結晶粒
準シソーラス用語： アニール ,  キャリア濃度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学 ,  ZnO薄膜 ,  光学特性 ,  アニーリング