文献

J-GLOBAL ID：201202206870083836   整理番号：12A1093898

酸チオール単分子層で修飾した電極でのプロトン移動ボルタンメトリー

Proton Transfer Voltammetry at Electrodes Modified with Acid Thiol Monolayers

著者 (5件)： LUQUE Antonio M. (Universidad de Sevilla, Sevilla, ESP) ,  MULDER Willem H. (Univ. West Indies, Kingston, JAM) ,  CALVENTE Juan Jose (Universidad de Sevilla, Sevilla, ESP) ,  CUESTA Angel (CSIC, Madrid, ESP) ,  ANDREU Rafael (Universidad de Sevilla, Sevilla, ESP)
資料名： Analytical Chemistry  (Analytical Chemistry)
巻： 84  号： 13  ページ： 5778-5786  発行年： 2012年07月03日 
JST資料番号： A0395A  ISSN： 0003-2700  CODEN： ANCHAM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チオールの自己組織化が金属表面に機能性を与えることから,チオール修飾表面が分子エレクトロニクス,細胞粘着研究,バイオセンシングなど種々の分野に適用されている。活性化エネルギーと電極電位間に二次関係を示す酸チオール単分子層で被覆した電極における潜在的なプロファイル記述からプロトン移動ボルタモグラムについての簡単な式を誘導し,固定化酸基が金属基質に近い場合,プロトン移動が狭いボルタンメトリックピークだけを生じることを示した。pH8.5において,11-メルカプトウンデカン酸単分子層で修飾したAu(III)電極を用いて得た実験ボルタモグラムから,単分子層中のカルボキシル基の1%以下が誘起プロトン移動プロセスを誘導し,これらの基が金属表面に接近して存在することが明らかになった。動力学パラメータの予備解析は,界面電場が界面で互いに近い接触を示さないプロトンドナーとアクセプタ対間の遅いプロトン交換を促進することを示した。また酸チオール単分子層の静電解析は,実験的に観察されるように,固定化酸基が金属基質に近く存在する場合,プロトン移動が狭いボルタンメトリックピークだけを生成することを示した。

シソーラス用語： *ボルタンメトリー ,  *化学修飾電極 ,  *金電極 ,  *電極過程 ,  プロトン移動 ,  単分子層 ,  チオール ,  自己組織化 ,  活性化エネルギー ,  電極電位 ,  電圧依存性 ,  表面 ,  イオン交換 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  フッ化ナトリウム ,  プロトン化 ,  脱プロトン ,  平衡状態 ,  動力学 ,  カルボキシ基
準シソーラス用語： カルボキシル基 ,  *イオン移動ボルタンメトリー ,  サイクリックボルタモグラム ,  プロトン交換 ,  金属表面

分類 (2件)： 電気分析一般  (CC05010C) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸 ,  チオール ,  単分子層 ,  修飾 ,  プロトン移動 ,  ボルタンメトリー