文献

J-GLOBAL ID：201202206906310370   整理番号：12A0495551

原子層堆積したAl₂O₃オーバ層を利用したH終端ダイヤモンド表面上の正孔チャネルの熱安定化

Thermal Stabilization of Hole Channel on H-Terminated Diamond Surface by Using Atomic-Layer-Deposited Al₂O₃ Overlayer and its Electric Properties

著者 (3件)： KASU Makoto (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SATO Hisashi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIRAMA Kazuyuki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 2  ページ： 025701.1-025701.3  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 150°Cの高温でも,H終端p型チャネルダイヤモンド表面を熱的に安定化し,また濃度と高い移動度を完全に保持できる原子層堆積Al₂O₃オーバ層堆積法を確立した。230~500Kの範囲では,移動度は温度の逆数に比例し,縮退正孔ガスに特有な特性を示す。イオン化エネルギーは6.1meVと評価され,これは正孔が主に熱活性化で発生しないことを示唆する。この熱安定化技術により正孔特性を230°Cまで測定でき,また再現性良く高いドレイン電流が得られるH終端ダイヤモンド電界効果トランジスタを実現できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *単原子層 ,  化学蒸着 ,  *酸化アルミニウム ,  ダイヤモンド ,  FET【トランジスタ】 ,  *熱安定化 ,  正孔 ,  *キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  水素終端 ,  正孔密度 ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： 原子層堆積

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (30件)：

• KOHN, E. Low-Pressure Synthetic Diamond. 1998
• ISBERG, J. Science. 2002, 297, 1670
• NAVA, F. Solid State Commun. 1980, 33, 475
• REGGIANI, L. Phys. Rev. B. 1981, 23, 3050
• GI, R. S. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, 5550

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  終端 ,  ダイヤモンド ,  正孔 ,  チャネル ,  熱安定化