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J-GLOBAL ID:201202207072261020   整理番号:12A1708056

TMR効果を利用した最先端磁気センシング

TMR: A New Frontier for Magnetic Sensing
著者 (2件):
資料名:
号: 80  ページ: 64-71  発行年: 2012年10月25日 
JST資料番号: F0539A  ISSN: 0915-0528  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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トンネル磁気抵抗(TMR)効果を利用した新たな線形磁気センサ技術を紹介する。TMR効果の原理は,2007年に初めてノーベル物理学賞で認められた新たな研究分野であるスピントロニクスに基づいている。電子を電荷として扱う従来の電子工学とは対照的に,磁気トンネル接合(MTJ)素子は,電子の量子スピン状態も利用する。NTN-SNRは2005年から2010年までフランス国立研究機構のCAMELプロジェクトに参画し,センサ用途のMTJ素子を開発,広い動作距離,高い設計自由度,厳しい環境に対するロバスト性,コストパフォーマンスなど,既存技術と比較して優れた性能を確認した。本稿では,TMR効果を利用したセンサの優れた特性を解説すると共に,新たな磁気センシングの可能性について述べる。(著者抄録)
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分類 (1件):
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磁気の計測法・機器 
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