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J-GLOBAL ID:201202207106238929   整理番号:12A1229519

rfマグネトロンスパッタリングZnO:Al薄膜特性に及ぼすrf出力影響

Effect of rf power on the properties of rf magnetron sputtered ZnO:Al thin films
著者 (2件):
資料名:
巻: 136  号:ページ: 205-209  発行年: 2012年09月14日 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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rfマグネトロンスパッタリングを利用し,アルミニウム添加酸化亜鉛ZnO:Al薄膜を調製した。室温,低圧下,P=50~500Wでrf出力を変更し,調製を行った。rf出力に依存する構造/電気/光学膜特性を研究した。膜の構造,シート抵抗,光透過率間の相関に特に注目した。最大結晶サイズを持つ膜が,最高透過率を示したが,最低電気抵抗率は示さなかった。本調査結果の説明は,膜に組入れたAl原子の量,それらが占める位置,次にrf出力と関連するパラメータの面から,求められる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  薄膜成長技術・装置  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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