文献

J-GLOBAL ID：201202207124092800   整理番号：12A0805622

SrRuO₃のMgOマスクを用いる選択領域エピタクシによるエピタキシャル強誘電性ヘテロ構造の作製

Epitaxial Ferroelectric Heterostructures Fabricated by Selective Area Epitaxy of SrRuO₃ Using an MgO Mask

著者 (3件)： KARTHIK J. (1Univ. Illinois, IL, USA) ,  DAMODARAN Anoop R. (1Univ. Illinois, IL, USA) ,  MARTIN Lane W. (1Univ. Illinois, IL, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 12  ページ： 1610-1615  発行年： 2012年03月22日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着によりPbZr_0.2Ti_0.8O₃(150nm)/SrRuO₃(20nm)/DyScO₃(110)ヘテロ構造膜を作製した。フォトレジストのスピンコーティング,パターン形成,酸化マグネシウムハードマスク蒸着,SrRuO₃蒸着,MgOの燐酸溶出によりキャパシタ電極パターンを形成した。強誘電性膜の電場-分極および電流電圧特性を測定した結果,本法による高温SrRuO₃電極が金電極,白金電極よりも良好な特性を示し,SrRuO₃高温電極が優れていることを確かめた。抗電場の周波数特性は成長支配ドメインスイッチングのIshibashiモデルとよい一致を示した。分極の電圧およびパルス幅による変化,繰り返しによる残留分極の低下およびヒステリシス曲線の変化を調べた。

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *コンデンサ ,  *電極材料 ,  *酸化物 ,  *ルテニウム化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *エピタクシー ,  酸化マグネシウム ,  マスク ,  蒸着 ,  *耐熱材料 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  ジスプロシウム化合物 ,  スカンジウム化合物 ,  パターン形成 ,  電流電圧特性 ,  分極 ,  抗電場 ,  周波数依存性 ,  スイッチング ,  残留分極 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  キャパシタ ,  ドメインスイッチング ,  ハードマスク ,  強誘電性薄膜 ,  強誘電体コンデンサ ,  高温材料 ,  混合酸化物

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  静電機器  (NB10020R) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： MgO ,  マスク ,  エピタクシ ,  エピタキシャル ,  強誘電性 ,  ヘテロ構造 ,  作製