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J-GLOBAL ID:201202207137022819   整理番号:12A0861355

イソインジゴ系高分子電界効果トランジスタの体系的研究 :デザイン戦略と重合体の対称性と高分子鎖骨格の曲率の影響

Systematic Investigation of Isoindigo-Based Polymeric Field-Effect Transistors: Design Strategy and Impact of Polymer Symmetry and Backbone Curvature
著者 (6件):
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巻: 24  号: 10  ページ: 1762-1770  発行年: 2012年05月22日 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分子内にドナー-アクセプタ対をもつ10種類のイソインジゴ系重合体を,Stilleカップリング反応により合成し,高分子薄膜の半導体素子としての光物理および電気化学的特性を系統的に検討した。重合体のHOMOレベルを,各種ドナー単位を導入することにより調整したすべて重合体はP型半導体特性を示した。中心対称ドナー単位をもつ重合体の正孔移動度は0.3cm2V-1s-1を超え,最大値は1.06cm2V-1s-1に達した。低いHOMOレベルのため,これらの重合体は,水分に対して優れた安定性を示した。原子間力顕微鏡および微小角入射X線回折(GIXD)分析は,各種対称性と高分子鎖骨格の曲率をもつ重合体が,ラメラ充填および結晶性で異なることを明らかにした。さらに,DFT計算から共役高分子鎖充填モデルを提案し,高分子電界効果トランジスタの機能を解説した。
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分類 (2件):
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高分子固体の物理的性質  ,  有機化合物の結晶成長 
物質索引 (13件):
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