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J-GLOBAL ID：201202207192643210   整理番号：12A1738402

硫黄不動態化p-InPナノワイヤの光ルミネセンスモデル

Photoluminescence model of sulfur passivated p-InP nanowires

著者 (3件)： TAJIK N (McMaster Univ., ON, CAN) ,  HAAPAMAKI C M (McMaster Univ., ON, CAN) ,  LAPIERRE R R (McMaster Univ., ON, CAN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 31  ページ： 315703,1-6  発行年： 2012年08月10日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子および光電子素子の連続スケーリングは素子性能への表面と界面の影響増大を伴う。本論では,個々のInPナノワイヤ(NW)のS不導体化を,マイクロ光ルミネセンス(PL)を用いて研究した。平坦表面に関する先の研究と同様に,ピークPL強度の変化を,S不動態化を研究し,最適化する方法として用いた。単純モデルを示して,表面捕獲密度の減少に関してPL改良を説明した。p-InP NWの表面不動態化はポリ硫化アンモニウム溶液を用いて行った。PL強度の40倍(平均24倍)増加をもたらした最適不動態化手順は,IPA希釈溶液,0.5M硫黄濃度,5分,およびホスト基板に転写する前の成長後垂直NWの不動態化を含む手順で構成した。

シソーラス用語： 硫黄 ,  不動態化 ,  P型半導体 ,  *リン化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  *光ルミネセンス ,  固体素子 ,  表面 ,  界面 ,  平坦性 ,  放射強度 ,  最適化 ,  モデル ,  密度 ,  多硫化物 ,  アンモニウム化合物 ,  希薄溶液 ,  濃度 ,  基板
準シソーラス用語： ポリ硫化物 ,  マイクロ光ルミネセンス ,  希釈液 ,  光電子素子 ,  電子素子 ,  捕獲密度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： IPA

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫黄 ,  不動態化 ,  InP ,  ナノワイヤ ,  光ルミネセンス ,  モデル