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J-GLOBAL ID：201202207234467930   整理番号：12A0758731

プラズマ増強原子層堆積法による様々なYSZ基板上の斜方晶SnO₂膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of orthorhombic SnO₂ films on various YSZ substrates by plasma enhanced atomic layer deposition

著者 (3件)： KIM Sungtae (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Res. Inst. of Advanced Materials, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR) ,  KIM Dai-hong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Res. Inst. of Advanced Materials, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR) ,  HONG Seong-hyeon (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Res. Inst. of Advanced Materials, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 348  号： 1  ページ： 15-19  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強原子層堆積法(PEALD)を利用して,(100),(110)および(111)イットリア安定化ジルコニア(YSZ)基板上にSnO₂薄膜を堆積させた,そして,彼らの構造的・電気的・光学的特性を調査した。X線回折,X線極点図,および高分解能TEM分析は,斜方晶(100)と(110)SnO₂膜がそれぞれ(100)と(110)YSZ上にヘテロ-エピタキシャル成長することを明らかにした。決定された面内の配向相関が,[010]C-SnO2∥[010]YSZ,[001]C-SnO2∥[001]YSZ((100)YSZ),[110]C-SnO2∥[110]YSZ,[001]C-SnO2∥[001]YSZ((110)YSZ)であった。しかしながら,多結晶金紅石SnO₂膜は(111)YSZ基板上に堆積した。すべてのSnO₂膜が,~2×10^-2Ωcmの同様の抵抗率と可視領域における78%の平均透過率を示した,そして,その結果,膜の方位と相に従って,電気的・光学的特性は顕著に変化しなかった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *原子層エピタクシー ,  基板 ,  *酸化スズ ,  ヘテロエピタクシー ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  X線回折 ,  極点図 ,  電子顕微鏡観察 ,  斜方晶系 ,  *結晶方位 ,  *電気抵抗率 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  光透過
準シソーラス用語： *プラズマ原子層エピタクシー ,  イットリア安定化ジルコニア

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  増強 ,  原子層堆積法 ,  YSZ ,  斜方晶 ,  エピタキシャル成長