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J-GLOBAL ID：201202207296251411   整理番号：12A1602553

オフセットおよび温度効果を含むCMOS十字形ホール効果センサ用の小型モデルの改善

An improved compact model for CMOS cross-shaped Hall-effect sensor including offset and temperature effects

著者 (4件)： MADEC Morgan (Univ. de Strasbourg, Inst. d’Electronique du Solide et des Systemes, UMR 7163 (Centre National de Recherches ...) ,  KAMMERER Jean-Baptiste (Univ. de Strasbourg, Inst. d’Electronique du Solide et des Systemes, UMR 7163 (Centre National de Recherches ...) ,  HEBRARD Luc (Univ. de Strasbourg, Inst. d’Electronique du Solide et des Systemes, UMR 7163 (Centre National de Recherches ...) ,  LALLEMENT Christophe (Univ. de Strasbourg, Inst. d’Electronique du Solide et des Systemes, UMR 7163 (Centre National de Recherches ...)
資料名： Analog Integrated Circuits and Signal Processing  (Analog Integrated Circuits and Signal Processing)
巻： 73  号： 3  ページ： 719-730  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W0439A  ISSN： 0925-1030  CODEN： AICPEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,十字形水平集積化ホール効果センサの小型モデルについて述べた。現存のモデルに比較して,特に,バイアスと測定が独立していないシステムをシミュレーションするのに,信頼性が改善されている。すでに公表されているホールデバイスモデルのコアは6つの非線形抵抗と,4つのホール電圧源の回路網に基いており,ほんの11の物理的パラメータを含んでいる。本論文ではモデルの予測能力を改善する目的で,オフセット問題を考慮するために4つの追加パラメータを加えた。加えて,温度によるパラメータの変化についても対処した。モデルはVerilog-Aにおいて実現され,CMOS0.35μm技術で設計されたホールデバイスについて実行された実験により立証された。パラメータの抽出手順について詳述し,シミュレーションと実験データとの間の最大誤差は,広範囲のバイアス電流と温度に対して1%以下であった。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Hall効果 ,  *CMOS構造 ,  *固体素子モデル ,  *Hall素子 ,  *磁気センサ ,  ハードウェア記述言語 ,  *オフセット ,  温度依存性 ,  温度変動 ,  モデリング ,  パラメータ推定 ,  シミュレーションモデル ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  センシトメトリー
準シソーラス用語： Hallセンサ ,  Verilog ,  コンパクトモデル ,  電子移動度 ,  感度測定

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  磁気の計測法・機器  (AD07060U)

タイトルに関連する用語 (6件)： オフセット ,  温度効果 ,  CMOS ,  十字形 ,  ホール効果 ,  モデル