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J-GLOBAL ID：201202207337515240   整理番号：12A0579427

CdTe/CdSヘテロ接合における安定構造とイオウの影響

Stable structure and effects of sulfur in CdTe/CdS heterojunctions

著者 (4件)： WANG Jianli (China Univ. Mining and Technol., Xuzhou, CHN) ,  TANG Gang (China Univ. Mining and Technol., Xuzhou, CHN) ,  WU X.S. (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  GU Mingqiang (Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 44  号： 4  ページ： 434-438  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代太陽電池として有望なCdTe/CdSのp/nヘテロ接合界面で,S原子がCdTe相に拡散することで格子不整合が軽減しバンドギャップにも影響することが知られているが,このS原子の配置と電子状態について状態密度関数理論を用いた理論計算により検討を行った。Cd終端表面のH₃サイトに吸着したS原子はエネルギー的に有利である。S原子はまたTe終端面のTe原子を置換し,またCdTe格子間に貫入するとともに界面のCd原子と下層のTe原子との転置を引き起こす。SがTeを置換したこの接合界面により表面準位が減少するので太陽電池に有用と考えられる。

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *硫化カドミウム ,  *PN接合 ,  *ヘテロ接合 ,  *硫黄 ,  バンドギャップ ,  太陽電池 ,  表面準位 ,  計算 ,  吸着
準シソーラス用語： *P-Nヘテロ接合 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdTe ,  CdS ,  ヘテロ接合 ,  安定構造 ,  イオウ