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J-GLOBAL ID：201202207403131718   整理番号：12A0292496

SOIに統合化された自己集合SiGeナノ粒子

Self-assembled SiGe nanoparticles integrated into SOI

著者 (5件)： XU Wenting ,  TU Hailing ,  LIU Dali ,  XIAO Qinghua ,  CHANG Qing
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 72  ページ： 39-41  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンオンインシュレータ(SOI)のトップシリコンに約30nmの均一な直径を持つSiGeナノ粒子をGeイオン注入とそれに続くアニーリングプロセスを組合わせて合成した。これらナノ粒子の密度は6×10⁷/cm²であった。これらのナノ粒子は反跳原子と移動した吸着原子の凝集で生成した。本研究で示した方法はSOIへの均一なSiGeナノ粒子の効率的な作製を可能とした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  ナノ粒子 ,  *自己集合 ,  *半導体プロセス ,  半導体接合 ,  密度 ,  イオン注入 ,  金属イオン ,  統合 ,  反跳原子 ,  原子 ,  凝集
準シソーラス用語： *SOI ,  *ケイ化ゲルマニウム ,  ゲルマニウムイオン ,  吸着原子

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  統合 ,  自己集合 ,  SiGe ,  ナノ粒子