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J-GLOBAL ID：201202207415525800   整理番号：12A1422703

有機金属気相蒸着によって成長したInAs/GaSb超格子の表面形態と構造に及ぼす成長温度の効果

Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (11件)： LI Li-gong (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LI Li-gong (Dep. of Physics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  LIU Shu-man (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LUO Shuai (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  YANG Tao (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  WANG Li-jun (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LIU Jun-qi (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LIU Feng-qi (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  YE Xiao-ling (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  XU Bo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  WANG Zhan-guo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 359  ページ： 55-59  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相蒸着(MOCVD)によって(100)GaAs基板上に成長したInAs/GaSbのII型超格子(SLs)の表面形態と結晶構造に及ぼす成長温度の効果を,in-situ反射率測定,原子間力顕微鏡法,高分解能X線回折およびRaman散乱分光法によって調査した。すべてのデータから,SL試料の構造特性が,成長温度に非常に敏感であることが明らかになった。本研究でのMOCVDでは,適切なSL成長温度は520°Cであった。適切な成長温度より20°Cだけ低い成長温度では,SLエピタキシー成長初期から粗い表面が生じたが,20°Cだけ高い温度では,決して起こる可能性のない混合界面の構造が生じ,その結果,悪化した構造になった。本研究の試料で,2から8μmまでの室温吸収を実現した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *人工超格子 ,  *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  結晶構造 ,  形態 ,  *基板温度 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  反射率 ,  *Ramanスペクトル ,  ヘテロエピタクシー ,  表面粗さ
準シソーラス用語： 表面形態

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機金属 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  表面形態 ,  成長温度