耐放射線性SiCデバイス用酸化膜の第一原理分子動力学シミュレーション

文献

J-GLOBAL ID：201202207428118864 整理番号：12A0961498

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資料名：
号： 2011-052 ページ： 5.4.7 (WEB ONLY) 発行年： 2012年02月
JST資料番号： U0296A 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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