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J-GLOBAL ID:201202207432311814   整理番号:12A0211677

金属前駆体硫化による薄膜Cu2ZnSnS4合成の組合せ研究

COMBINATORIAL STUDY OF THIN-FILM Cu2ZnSnS4 SYNTHESIS VIA METAL PRECURSOR SULFURIZATION
著者 (12件):
資料名:
巻: 35th Vol.1  ページ: 650-655  発行年: 2010年 
JST資料番号: E0756A  ISSN: 0160-8371  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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金属前駆体薄膜の硫化による薄膜Cu2ZnSnS4の合成に関係する研究を報告する。三元系Cu-Zn-Sn相図の種々の領域にわたる組合せ傾斜薄膜Cu-Zn-Snライブラリ試料を375K以下の温度で堆積し,その後,600Kから675Kにわたる温度でバルブ付きクラッキング源を備えた高真空システムにおいて硫化した。硫化前後の膜のX線蛍光及びX線回折データを比較することによって,プロセス条件間の関係,膜組成,そして,結晶相が明らかになった。カソードルミネセンスとフォトルミネセンス測定も行い,Cu2ZnSnS4の形成と一致する発光を同定した。
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分類 (1件):
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太陽電池 

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