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J-GLOBAL ID:201202207460528519   整理番号:11A1734392

Cu(III)表面でのtert-ブチルアミンの電場支援ホッピング

Electric Field Assisted Hopping of Tert-Butylamine on Cu(111) Surface
著者 (6件):
資料名:
巻: 26  号: 10  ページ: 2686-2690  発行年: 2010年 
JST資料番号: W0391A  ISSN: 1000-6818  CODEN: WHXUEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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78KのCu(III)表面でのtert-ブチルアミン(tBA)分子の側面ホッピングを走査トンネル顕微鏡(STM)により調べた。トンネル接合における分子のホッピング確率は負荷トンネル電流に直線依存し,単電子誘起過程であることを示した。反対極性電場下でのホッピング確率は異なり,その非等価性は電場支援拡散に起因し,そこでは反対電場を受けたときに極性tBA分子の吸着エネルギーと拡散障壁が変化した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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