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J-GLOBAL ID：201202207466970477   整理番号：12A0776343

非極性及び半極性InGaN量子井戸のインジウム取込と発光特性

Indium incorporation and emission properties of nonpolar and semipolar InGaN quantum wells

著者 (14件)： ZHAO Yuji (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  YAN Qimin (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  HUANG Chia-yen (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  HUANG Shih-chieh (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SHAN HSU Po (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  TANAKA Shinichi (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  PAN Chih-chien (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  KAWAGUCHI Yoshinobu (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  FUJITO Kenji (Optoelectronic Lab., Mitsubishi Chemical Corp., 1000 Higashi-Mamiana, Ushiku, Ibaraki 300-1295, JPN) ,  VAN DE WALLE Chris G. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SPECK James S. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  FEEZELL Daniel (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 20  ページ： 201108-201108-4  発行年： 2012年05月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の非極性及び半極性自立GaN基板上のIn取込み特性を報告する。エレクトロルミネセンス特性化とX線回折分析は半極性(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)及び(11<span style=text-decoration:overline>2</span>2)面が調べた面の中で最高のIn取込み率を有することを示唆した。また,In組成と極性関連電場が量子井戸の発光放出に影響を与えることを示した。各配向に対する種々の強さと方向を持つ極性関連電場は種々の半極性及び非極性量子井戸に対して異なるポテンシャル分布をもたらし,与えられたIn濃度における発光波長を変える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  取込 ,  *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  インジウム ,  化合物半導体 ,  エレクトロルミネセンス ,  X線回折 ,  *量子井戸 ,  非極性 ,  分布 ,  *発光スペクトル
準シソーラス用語： ポテンシャル分布 ,  半極性

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非極性 ,  半極性 ,  InGaN ,  量子井戸 ,  インジウム ,  取込 ,  発光特性