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J-GLOBAL ID：201202207503480370   整理番号：12A1216945

単一デジットビットパターン媒体リソグラフィーに対する誘導自己組織化パターンのライン周波数倍加

Line Frequency Doubling of Directed Self Assembly Patterns for Single-Digit Bit Pattern Media Lithography

著者 (8件)： PATEL K.C. (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA) ,  RUIZ R. (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA) ,  LILLE J. (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA) ,  WAN L. (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA) ,  DOBISZ E. (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA) ,  GAO H. (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA) ,  ROBERTSON N. (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA) ,  ALBRECHT T.R. (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8323  ページ： 83230U.1-83230U.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導自己組織化(DSA)はサブ20nm加工に有望であるがブロック共重合体(BCP)リソグラフィーのスケール化に課題がある。今回,PS-b-PMMA DSAによって線/間隔を決定する線倍加工程を開発した。このパターンを基礎犠牲層に転写した後,2倍の周波数倍加パターンを基礎Si基板に転写するハードマスクとなる自己整合スペーサを成長させた。この工程を最適化し,二種類のBCPに用い,11nmと7nmのハーフピッチ線/間隔を作製した。

シソーラス用語： リソグラフィー ,  ナノメータ加工 ,  *自己組織化 ,  *パターン形成 ,  周波数 ,  ブロック共重合体 ,  フォトレジスト ,  ポリスチレン ,  ポリメタクリル酸メチル ,  自己整合 ,  半導体プロセス ,  スペーサ ,  *磁気ディスク
準シソーラス用語： ビットパターン媒体 ,  犠牲層

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： デジット ,  ビットパターン媒体 ,  リソグラフィー ,  誘導 ,  自己組織化