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J-GLOBAL ID：201202207521088932   整理番号：12A1485686

モノリシック集積ゲート電圧プルダウン回路を有する低圧同期パワーMOSFETの設計検討

Design Considerations on Low Voltage Synchronous Power MOSFETs with Monolithically Integrated Gate Voltage Pull-down Circuitry

著者 (5件)： YANG Boyi (Texas Instruments Inc., PA, USA) ,  YANG Boyi (Univ. Central Florida, FL, USA) ,  XU Shuming (Texas Instruments Inc., PA, USA) ,  KOREC Jacek (Texas Instruments Inc., PA, USA) ,  SHEN John (Univ. Central Florida, FL, USA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 121-124  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代高周波DC-DC降圧コンバータの効率向上を目的として,それに使われる低圧同期パワーMOSFETの設計を論じた。このMOSFETにおいて,dv/dt静電誘導による予期しないターンオンを防止するためのモノリシック集積ゲート電圧プルダウン回路を述べた。MOSFETにゲート電圧プルダウン回路をモノリシックに集積化することにより,むだ時間を最小化し,高温で使用した場合でもシュートスルーの発生を防止でき,モジュール効率の向上を実現できると述べた。1MHzスイッチング,19V/1.3V DC-DC降圧コンバータモジュールに適用した場合に,2%の効率向上を実現できることを実験結果で示した。

シソーラス用語： *DC-DCコンバータ ,  直流電源 ,  *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  電力効率 ,  回路設計 ,  スイッチング ,  回路特性

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： モノリシック集積 ,  ゲート電圧 ,  低圧 ,  パワーMOSFET ,  設計