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J-GLOBAL ID：201202207616761235   整理番号：12A0495384

重なり合う制御ゲートのある高度に敏感なゲート/本体-結合Pチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスター-型光検出器

Highly Sensitive Gate/Body-Tied P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-Type Photodetector with an Overlapping Control Gate

著者 (5件)： JUNG Joontaek (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  JO Sung-Hyun (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  SEO Sang-Ho (Samsung Mobile Display, Chungnam, KOR) ,  BAE Myunghan (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  SHIN Jang-Kyoo (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 2  ページ： 02BG06.1-02BG06.4  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文で重なり合う制御ゲートのある高度に敏感なゲート/本体-結合Pチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスター(PMOSFET)-,型光電検出器を提案した。提案した光電検出器は光電検出器の感度の制御を可能にする重なり合う制御ゲートを持つ。この感度制御性は,ダイナミックレンジを拡大し,低ライト環境において高感度を提供する。提案したゲート/本体-結合PMOSFET-型光検出器の本体は,浮動ゲートに接続し,そして,制御ゲートは,浮動ゲートのトップに置かれる。提案したデバイスを,0.35μm標準相補的金属酸化物半導体素子(CMOS)プロセスを使って作った。提案したデバイスの拡大光電流は同じ面積の従来のn+/p-サブフォトダイオードの光電流より100倍以上大きかった。提案した光検出器の面積は,3.8×4.4μm²であり,これは転送ゲートによる従来のゲート/本体-結合PMOSFET-型光電検出器の面積より,24%より小さい。したがって,提案した光検出器は,従来のn+/p-サブフォトダイオードの応答度より非常に高い応答度のため高感度能動ピクセル・センサー(APSs)に適している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  *MOSFET ,  光検出器 ,  CMOS構造 ,  *フォトダイオード ,  高感度 ,  制御 ,  面積

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (27件)：

• 1) Y. Ardeshirpour, M. J. Deen, and S. Shirani: J. Vac. Sci. Technol. A 24 (2006) 860.
• 2) E. R. Fossum: IEEE Trans. Electron Devices 44 (1997) 1689.
• 3) O. Yadid-Pecht and E. R. Fossum: IEEE Trans. Electron Devices 44 (1997) 1721.
• 4) M. Bigas, E. Cabruja, J. Forest, and J. Salvi: Microelectronics 37 (2006) 433.
• 5) I. Inoue, N. Tanaka, H. Yamashita, T. Yamaguchi, H. Ishiwata, and H. Ihara: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 43.

タイトルに関連する用語 (6件)： 制御ゲート ,  ゲート ,  チャネル ,  金属酸化膜半導体 ,  電界効果トランジスター ,  光検出器