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J-GLOBAL ID：201202207694921273   整理番号：12A1223026

二次電子生成を含むモンテカルロシミュレーションを通して導体上にkeV以下の電子ビームを衝突させることによる電荷,運動量及びエネルギー輸送の解析

Analysis of charge, momentum and energy transfer by an impinging sub-keV electron beam on a conductor via Monte Carlo simulation including secondary-electron generation

著者 (1件)： WONG Basil T. (School of Engineering, Computing & Sci., Swinburne Univ. of Technol., Sarawak Campus, Jalan Simpang Tiga, 93350 ...)
資料名： International Journal of Heat and Mass Transfer  (International Journal of Heat and Mass Transfer)
巻： 55  号： 23-24  ページ： 7188-7198  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： C0390A  ISSN： 0017-9310  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,電子ビーム伝播に対するモンテカルロシミュレーションコードを,ビーム散乱とエネルギー損失を明らかにするためにMottの弾性散乱断面積とPennの誘電関数を用いて開発した。次の段階として,電子密度形状,運動量分布,及びビームの透過によるターゲット材料の内側へ堆積された運動エネルギーの計算を導入した。シミュレーションの詳細を概説し,後方散乱の結果を文献で利用できるデータに対して認証した。シミュレーションを支配するさまざまなパラメータを幅広く議論した。電子堆積分布は高度に非一様であることが示された。ターゲット内部の電子密度は,ビームによって著しく修正され,表面の数ナノメータ下方で消耗する一方,電荷蓄積が表面の下方深いところで起こった。一方,加工物内に堆積した電子運動量は,あらゆる方向で平均電子速度を増加させるサインを示した。運動エネルギー伝達に関しては,エネルギー分布は表面から数ナノメータ下方で最大に達した。金(導体)とシリコン(絶縁物)間の結果を同様に比較し,それらは大きさと局部堆積分布で異なり,それでも堆積分布の全体の傾向は同様であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *二次電子放出 ,  シミュレーション ,  *電子ビーム ,  *電荷 ,  運動量 ,  エネルギー輸送 ,  弾性散乱 ,  誘電関数 ,  密度分布 ,  後方散乱 ,  帯電
準シソーラス用語： *モンテカルロシミュレーション ,  電荷蓄積 ,  電子密度分布

分類 (2件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電子生成 ,  モンテカルロシミュレーション ,  導体 ,  電子ビーム ,  衝突 ,  電荷 ,  運動量 ,  エネルギー輸送 ,  解析