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J-GLOBAL ID：201202207714229401   整理番号：12A1173138

サブスレショルド領域におけるホットキャリヤ誘起変動性の特性化とモデリング

Characterization and Modeling of Hot Carrier-Induced Variability in Subthreshold Region

著者 (5件)： MAGNONE Paolo (Univ. Bologna, Cesena, ITA) ,  CRUPI Felice (Univ. Calabria, Rende, ITA) ,  WILS Nicole (NXP Semiconductors, Eindhoven, NLD) ,  TUINHOUT Hans P. (NXP Semiconductors, Eindhoven, NLD) ,  FIEGNA Claudio (Univ. Bologna, Cesena, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 8  ページ： 2093-2099  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS集積回路の性能と電力消費における変動性は,素子寸法の積極的なスケーリングと,関連した電源の低減のために,回路設計者が直面する最も重要な問題の1つである。本論文では,ホットキャリヤ(HC)応力に関連したサブスレショルド勾配変動性の進展を予測することができる解析モデルを開発した。そのモデルは,HC応力はポアッソン分布で界面状態を発生し,HC誘起界面状態の数はHC誘起サブスレショルド勾配の変化とともに線形に増加することを仮定する。45および65nm CMOSによるnチャンネルMOSFETに関して収集された広い変動性データセットにより,そのモデルを検証した。さらに,サブスレショルド電流変動性に及ぼすそれらの影響を完全に特性化するために,しきい値電圧とサブスレショルド勾配の間の相関を調べた。

シソーラス用語： 半導体集積回路 ,  CMOS構造 ,  電力消費 ,  解析モデル ,  *固体素子モデル ,  表面準位 ,  ホットキャリア ,  *MOSFET ,  N型半導体 ,  電流変動 ,  キャラクタリゼーション ,  モデリング
準シソーラス用語： CMOS集積回路 ,  界面状態 ,  *nチャンネルMOSFET ,  特性化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブスレショルド ,  ホットキャリヤ ,  誘起 ,  変動性 ,  特性化 ,  モデリング