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J-GLOBAL ID：201202207733569892   整理番号：12A0620505

積層金属カルコゲニドの次元縮小による1次元近赤外直接バンドギャップ半導体

Dimensional Reduction of a Layered Metal Chalcogenide into a 1D Near-IR Direct Band Gap Semiconductor

著者 (3件)： LIU Yi-Hsin (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  PORTER Spencer H. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  GOLDBERGER Joshua E. (Ohio State Univ., Ohio, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 11  ページ： 5044-5047  発行年： 2012年03月21日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は,積層金属カルコゲニド(TiS₂)の次元縮小による,エッジ共有8面体チェーンから成るハイブリッド有機/無機1次元構造TiS₂(en)(en=エチレンジアミン)の合成を示した。次元縮小によってバルクTiS₂(0.3eV)のナロー間接バンドギャップは著しく変化し,近赤外光ルミネセンスを示す直接バンドギャップ半導体(1.70eV)に変わった。合成は溶液中の分子前駆体から行った。

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  チタン化合物 ,  硫化物 ,  *次元縮小 ,  一次元 ,  近赤外線 ,  *光ルミネセンス ,  アルキレンジアミン ,  ジアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： 硫化チタン

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

物質索引 (1件)： エチレンジアミン

タイトルに関連する用語 (6件)： 積層金属 ,  カルコゲニド ,  次元縮小 ,  1次元 ,  近赤外 ,  直接バンドギャップ