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J-GLOBAL ID：201202207836664702   整理番号：12A1006082

パルスエキシマーレーザアニール後のSi(100)基板上のAlおよびNドープ3C-SiCに対するXRD特性評価

XRD Characterization for Al- and N-Doped 3C-SiC on Si(100) Substrate after Pulsed Excimer Laser Anneal

著者 (6件)： LEE Kung-Yen (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG Yan-Hao (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG Chih-Fang (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHUNG Cheng Yueh (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Shun Chiu (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  ZHAO Feng (Washington State Univ., WA, USA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 497-500  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Al ,  ドープ ,  3C-SiC ,  XRD ,  特性評価