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J-GLOBAL ID：201202207841634196   整理番号：12A0809448

SiC/SiCろう付アセンブリの目地損傷

Bond failure of a SiC/SiC brazed assembly

著者 (4件)： NGUYEN L.m. (CEA/LITEN/DTBH/LTH, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE CEDEX 09, FRA) ,  LEGUILLON D. (Inst. JLRA - CNRS UMR 7190, Univ. Pierre & Marie Curie (Paris 6), 4 place Jussieu, 75252 PARIS CEDEX 05, FRA) ,  GILLIA O. (CEA/LITEN/DTBH/LTH, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE CEDEX 09, FRA) ,  RIVIERE E. (CNES/DCT/TV/MT, 18 avenue Edouard Belin, 31401 TOULOUSE CEDEX 09, FRA)
資料名： Mechanics of Materials  (Mechanics of Materials)
巻： 50  ページ： 1-8  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0966A  ISSN： 0167-6636  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンカーバイド複合材料でできたろう付構造の損傷発生を,最大開放エネルギーおよび最大引張応力条件の両方を用い,2スケール解析およびツーホールド損傷クリテリオンによって,解析した。第一ステップでは,2つの漸近展開を用いて,マクロおよびミクロレベルにおいて,構造の自由端部表面における薄いはんだ層の発生によって生じる擾乱を記述した。その結果,遠方場は対数項を示すことがわかった。これは,主に競合ネッキング効果につながる2つの材料の異なる弾性特性によるものである。第二ステップでは,損傷クリテリオンを検討した。すなわち,2つの条件は,はんだ層の厚さに依存する2つの分岐につながり,1つはエネルギー条件に支配され,もう1つは応力条件に支配される。予測は,各種のシリコンベースはんだによるSiCのろう付試験片において室温で行なった実験とよく一致した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 核融合材料 ,  *複合材料 ,  ろう付 ,  *ろう付継手 ,  接合部 ,  *損傷 ,  漸近級数 ,  エネルギー解放率 ,  引張応力 ,  はんだ
準シソーラス用語： SiC/SiC複合材料

分類 (2件)： ろう付  (WC07050C) ,  接合部  (HD03080V)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  ろう付 ,  アセンブリ ,  目地 ,  損傷