文献

J-GLOBAL ID：201202207865341335   整理番号：12A0784003

Te-Seガラス系における電気伝導率と結晶化の速度論

Electrical conductivity and crystallization kinetics in Te-Se glassy system

著者 (3件)： BARTAK Jaroslav (Dep. of Physical Chemistry, Univ. of Pardubice, Studentska 573, Pardubice 532 10, CZE) ,  SVOBODA Roman (Dep. of Physical Chemistry, Univ. of Pardubice, Studentska 573, Pardubice 532 10, CZE) ,  MALEK Jiri (Dep. of Physical Chemistry, Univ. of Pardubice, Studentska 573, Pardubice 532 10, CZE)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 094908-094908-10  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Te_xSe_100-x(x=10,20,30)系バルクガラスの結晶化を,直流伝導率の温度変化を測定して調べた。導電経路の形成は多かれ少なかれ各関与過程とは独立に進行するので,併せて赤外顕微鏡観察を行なうことで,複雑な結晶化過程の非常によい定性的描像が得られた。表面の結晶化に対応する顕著な信号のため,直流伝導率測定は結晶化の速度論研究にとって非常に有用であると思える。特定の結晶化機構に対応すると同定した特性状態に基づいて,表面とバルクの結晶化の活性化エネルギーを計算し,以前に報告された示差走査熱量測定(DSC)の結果と比較した。さらに,転換率αを,伝導率のデータからOdolevskyの方程式を使って計算した。得られた(αの温度)依存性はDSCによる残留エンタルピー測定からの結果とよく一致した。補足的研究において完全な速度論的解析を残留エンタルピーのDSC測定に適用した。観測されたJohnson-Mehl-Avramiの速度論指数mの減少は,バルク結晶化過程の次元性の低下により説明できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *セレン合金 ,  テルル含有合金 ,  *結晶化 ,  *電気伝導率 ,  温度依存性 ,  活性化エネルギー ,  光学顕微鏡 ,  速度論 ,  *非晶質半導体
準シソーラス用語： 赤外顕微鏡

分類 (2件)： 固相転移  (BL04020G) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Te ,  Se ,  ガラス ,  電気伝導率 ,  結晶化 ,  速度論