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J-GLOBAL ID：201202207880318447   整理番号：12A1174562

相変化メモリアプリケーション用の40nmノードエピタキシャルダイオードアレイの最適化

Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application

著者 (8件)： LIU Yan (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Bo (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WU Guanping (Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, CHN) ,  CHEN Houpeng (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Chao (Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, CHN) ,  WANG Lianhong (Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, CHN) ,  FENG Songlin (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 1192-1194  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲン系相変化メモリ(PCM)はスケーリング性のある次世代不揮発性メモリである。アクセスデバイスとして働くクロスポイント構造を持つダイオードアレイは,次世代メモリデバイス設計で多く検討されている。PCMアプリケーション用として使うには,エピタキシャル(EPI)ダイオードアレイはより高い順方向電流,大きいオンオフ電流比と低い逆方向漏れ電流を持つ必要がある。本稿では,キャリア(電子と正孔)発生と再結合の現象を説明するためTCADソフトウェアを使って2D 16×16 EPIダイオードアレイモデルを作成し,性能最適化条件を検討した。その結果,電流密度~56.6mA/μm²,ブレークダウン電圧~8V,オンオフ電流比~10⁹および漏話不感性が得られた。このモデルは次世代シリコン系メモリデバイスに適用可能である。

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  相転移 ,  *エピタクシー ,  構造最適化 ,  カルコゲン化物 ,  スケーリング【計数】 ,  比率 ,  漏れ電流 ,  キャリア ,  CAD【計算機】 ,  電圧 ,  *ダイオード ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： TCAD ,  オンオフ比 ,  ブレークダウン電圧 ,  *相変化メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化メモリ ,  アプリケーション ,  最適化