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J-GLOBAL ID：201202207880456009   整理番号：12A1465005

レーザークリーニング:極短パルスレーザー照射によるシリコン表面付着パーティクルの除去

著者 (1件)： 服部毅 (服部コンサルティング・インターナショナル)
資料名： 産業洗浄  (Industrial Cleaning)
号： 10  ページ： 26-32  発行年： 2012年09月30日 
JST資料番号： L7969A  ISSN： 2188-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レーザークリーニングについて以下の項目に従って解説した。1)レーザークリーニングの原理,2)パーティクル除去率向上策,3)極短パルスレーザーを用いたクリーニング,4)レーザーショックウエーブ・クリーニング。

シソーラス用語： *洗浄 ,  *パルスレーザ照射 ,  微粒子 ,  *半導体素子 ,  ウエハ【IC】 ,  フォトマスク ,  衝撃波
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *レーザクリーニング ,  レーザ衝撃

分類 (2件)： レーザの応用  (BD04100V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• 1) 服部毅:シリコンウェーバ表面のクリーン化技術リアライズ社(2000)
• 2) 服部毅:空気清浄,48(6)30-38(2011)
• 3) 服部毅:局所清浄化,エレクトロニクス洗浄技術.148-154,技術情報協会(2007)
• 4) 村本准一,服部毅:2003年秋季応物学会予稿集,p.704(2a-YC-6)
• 5) 村本准一,服部毅:2004年春季応物学会予稿集,p.1237(29a-L-2)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザークリーニング ,  極短パルスレーザー ,  シリコン ,  パーティクル