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J-GLOBAL ID：201202208015112570   整理番号：12A1328058

相変化メモリ応用のためのSbリッチSb-Se-Te相変化物質の研究

Investigation on Sb-rich Sb-Se-Te phase-change material for phase change memory application

著者 (12件)： WU Liangcai (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  ZHU Min (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  ZHU Min (Graduate School of the Chinese Acad. of Sciences, 100080 Beijing, CHN) ,  SONG Zhitang (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  LV Shilong (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  ZHOU Xilin (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  ZHOU Xilin (Graduate School of the Chinese Acad. of Sciences, 100080 Beijing, CHN) ,  PENG Cheng (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  RAO Feng (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  SONG Sannian (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  LIU Bo (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  FENG Songlin (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2409-2411  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)への応用のため,SbリッチSb₆₅Se₆Te₂₉膜を調べた。Sb₆₅Se₆Te₂₉膜の結晶化温度は174°Cで,結晶化の活性化エネルギーは2.7eVである。この膜の10年故障温度は87°Cであり,殆どの商品に利用できる。紫外/可視/近赤外分光測定によると,この膜の光学ギャップはアモルファス相から結晶相へ転換すると減少する。Ge₂Sb₂Te₅ベースのPCRAMセルと比較すると,Sb₆₅Se₆Te₂₉ベースのPCRAMセルは低い閾値電圧と大きい抵抗コントラストを持つ利点がある。さらに,10nsの短い電気パルスは2.9Vのリセット電圧におけるリセット操作を可能にする。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 材料 ,  *アンチモン化合物 ,  *セレン化物 ,  *テルル化物 ,  *不揮発性メモリ ,  RAM【メモリ】 ,  晶出温度 ,  活性化エネルギー ,  光学ギャップ ,  非晶質 ,  固相 ,  電圧 ,  I動作 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： アモルファス相 ,  *セレン化アンチモン ,  *テルル化アンチモン ,  ランダムアクセスメモリ ,  リセット動作 ,  結晶化温度 ,  結晶相 ,  *相変化メモリ ,  相変化物質 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 相変化メモリ ,  応用 ,  Sb ,  Se ,  Te ,  相変化物質 ,  研究