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J-GLOBAL ID:201202208032384185   整理番号:12A1422689

擬単結晶シリコンインゴットのための工業用種付き指向性固化炉におけるホットゾーンの局所設計

Local design of the hot-zone in an industrial seeded directional solidification furnace for quasi-single crystalline silicon ingots
著者 (6件):
資料名:
巻: 358  ページ: 5-11  発行年: 2012年11月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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擬単結晶シリコンインゴットの形成を支援する固化過程中に融解過程において種結晶を保存し,ホットゾーンにおける温度場を改善するために,工業用種つけ方向性固化炉のホットゾーンで使用するための耐熱材料隔壁ブロックを設計した。温度場,固化界面の形状,融液の対流,アルゴン再循環および電力消費に対する耐熱材料配置設計の効果を調べるために,熱伝導,熱放射,融液の対流ならびにアルゴン流を考慮した大域的模型を確立した。隔壁ブロックのある場合とない場合の耐熱材料配置を比較したほかに,耐熱材料隔壁ブロックの位置,幅および厚さを含む,ホットゾーンの局所設計の包括的なパラメータ研究を行なった。結果は,シリコンインゴットの最上部にいたるまで擬単結晶構造を維持するために,種結晶の保存およびバルク結晶成長中に適当な温度勾配および平坦なあるいはわずかに凸な界面を達成できることを示した。さらに,良好な耐熱材料隔壁ブロック設計によりアルゴン再循環およびエネルギー消費を低減し,融液流の運動を制御できることができた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 

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