文献

J-GLOBAL ID：201202208058901870   整理番号：12A0165328

Al-P-Si₃の構成ユニットを基にSi(100)上に一体化された(Si)_5-2y(AlP)_y合金

(Si)_5-2y(AlP)_y alloys assembled on Si(100) from Al-P-Si₃ building units

著者 (7件)： WATKINS T. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1604, USA) ,  JIANG L. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  XU C. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  CHIZMESHYA A. V. G. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1604, USA) ,  SMITH D. J. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  MENENDEZ J. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1504, USA) ,  KOUVETAKIS J. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-1604, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 2  ページ： 022101  発行年： 2012年01月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四面体の「Al-P-Si₃」から成る構成要素の合成を目指し,P(SiH₃)₃分子とAl原子の相互作用を活用して,IV/III-Vから成るハイブリッド型の半導体,(Si)_5-2y(AlP)_y/Si(100),を合成した。様々な構造,光学的および振動特性から,これらのユニットはSiに格子整合した殆ど欠陥を含まない層として60%~90%のSi(y=0.3~1.0)を含む単相の単結晶合金に一体化されることが判明した。偏光分光解析法および密度汎関数理論によるバンド構造の計算結果から,組成に依存すつバンドギャップの緩やかな曲がりが確認され,オプトエレクトロニクスへの応用に関して必要な調整が可能であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 基板 ,  ケイ素 ,  *リン化物 ,  *ケイ素化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  MBE成長 ,  化合物半導体 ,  格子整合 ,  単結晶 ,  偏光解析法 ,  密度汎関数法 ,  *バンド構造 ,  バンドギャップ ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： トリシリルホスフィン ,  分光偏光解析法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  Si ,  ALP ,  Y合金