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J-GLOBAL ID：201202208059355896   整理番号：12A0566686

狭小チャネルSTI MOSFETの逆狭小幅効果の解析的モデリング

Analytical modelling of inverse narrow width effect for narrow channel STI MOSFETs

著者 (2件)： PANDIT Srabanti (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  SARKAR C.K. (Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
資料名： International Journal of Electronics  (International Journal of Electronics)
巻： 99  号： 1/3  ページ： 361-377  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0287B  ISSN： 0020-7217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 90nmから65nmの最新技術ノードの浅いトレンチアイソレーション(STI)MOSFEについて,そのの閾値電圧のチャネル幅依存性を明らかにする解析的物理ベースモデルを述べた。本稿では,通常逆狭小幅効果(INWE)と称されるトレンチ酸化膜を通るゲートフリンジ電界の効果が支配的な狭小チャネルトランジスタを考察する。ここでは,ゲートフリンジ電界の効果に加えてゲートフリンジ電界がシリコンプロセス途中のドーパント再分布により受ける効果を考慮した。開発したモデルによる閾値計算結果と実験結果を比較することにより,モデルの妥当性を検証した。さらに,開発したモデルを文献に発表されているモデルと比較し,より正確であることを実証した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  アイソレーション【IC】 ,  *解析モデル ,  *閾値 ,  チャネル ,  長さ ,  静電場 ,  ゲート【半導体】 ,  不純物分布 ,  *効果 ,  トランジスタモデル ,  再分布 ,  モデリング
準シソーラス用語： シャロートレンチアイソレーション ,  チャネル長 ,  フリンジ場 ,  *狭チャネル効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 狭小 ,  チャネル ,  STI ,  MOSFET ,  解析 ,  モデリング