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J-GLOBAL ID：201202208161036398   整理番号：12A1642665

AgとAg/SiO₂ナノ粒子を埋め込んだInGaN/GaNナノ柱状発光ダイオードのエネルギーカップリング過程

Energy coupling processes in InGaN/GaN nanopillar light emitting diodes embedded with Ag and Ag/SiO₂ nanoparticles

著者 (9件)： JANG Lee-Woon (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  JEON Dae-Woo (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  SAHOO Trilochan (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  POLYAKOV Alexander Y. (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  SARAVANAKUMAR Balasubramaniam (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  YU Yeon-Tae (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  CHO Yong-Hoon (KAIST, Daejeon, KOR) ,  YANG Jin-Kyu (Kongju National Univ., Chungnam, KOR) ,  LEE In-Hwan (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 40  ページ： 21749-21753  発行年： 2012年10月28日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LEDの表面を銀ナノ粒子(NP)またはコアシェル構造の銀/シリカNPで被覆すると発光性能が良くなるという著者らが発見した現象を精査した。NPがもたらす局所表面プラズモンの効果がp型窒化ガリウムLED層との距離と合わない。金属有機CVDでGaNバリア層上にInGaN量子井戸のナノ柱状結晶アレイを析出させ,柱状晶の間隙に銀NPまたは銀/シリカNPを析出(被覆)した。こうすると銀では蛍光強度が弱まるが,銀/シリカでは著しく強化した。どちらも蛍光減衰速度は速まる。銀は量子井戸に接近し過ぎ,シェルがシリカの銀ではカップリングには遠過ぎるものの電子トンネリングが妨げられて発光効率が高まると推測した。観察した光学的挙動は新種のエネルギーカップリングを示唆するものである。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *エネルギー変換効率 ,  *銀 ,  *ナノ粒子 ,  構造 ,  表面プラズモン ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  量子井戸 ,  アレイ ,  ナノ構造 ,  柱状晶 ,  間隙 ,  放射強度 ,  比率 ,  距離 ,  トンネル効果 ,  エネルギー移動 ,  効率 ,  *二酸化ケイ素 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： *シリカ ,  *InGaN ,  トンネリング ,  ナノアレイ ,  移動距離 ,  蛍光強度 ,  結合効率 ,  減衰速度 ,  *発光効率

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (10件)： Ag ,  SiO2 ,  ナノ粒子 ,  InGaN ,  GaN ,  ナノ柱 ,  発光ダイオード ,  エネルギー ,  カップリング ,  過程