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J-GLOBAL ID：201202208303510351   整理番号：12A0735687

NiMn_2-xMg_xO₄NTCセラミックスの微構造と電気特性へのMg置換による影響

Effects of Mg substitution on microstructure and electrical properties of NiMn_2-xMg_xO₄ NTC ceramics

著者 (2件)： WANG Jiangying (China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHANG Jingji (China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 27  号： 6  ページ： 928-931  発行年： 2012年03月28日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiMn₂O₄セラミックスの電気特性を向上させるためMgOを添加し,そのメカニズムを調べた。ゾル-ゲル法によるNiMn_2-xMg_xO₄(x=0~0.4)粉末を1200°Cで2h焼結した。X線回折から生成物は単相のスピネル構造であった。X線回折と赤外分光からMg²⁺はスピネル格子のAとBサイトを占有し,陽イオン空孔の生成を妨げた。電気抵抗ρ(25°C),電気抵抗の温度係数B_25/85(=lnρ₂₅-lnρ₈₅)/(1/T₂₅-1/T₈₅)及び活性化エネルギーは各々4026~11943Ωcm,3825~4144及び0.329~0.357eVでMg置換により増加し,エージング特性を向上させた。

シソーラス用語： エレクトロセラミック ,  *ニッケル化合物 ,  マンガン酸塩 ,  マグネシウム化合物 ,  添加物効果 ,  温度依存性 ,  温度係数 ,  電気抵抗 ,  ゾル-ゲル法 ,  スピネル型結晶

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミックス ,  電気特性 ,  Mg ,  置換