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J-GLOBAL ID:201202208358216282   整理番号:12A1013124

金属および合金上の整列カーボンナノチューブアレイの一般的成長プロセス

A generic process of growing aligned carbon nanotube arrays on metals and metal alloys
著者 (3件):
資料名:
巻: 18  号: 18  ページ: 5 PP.  発行年: 2007年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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整列カーボンナノチューブ(CNT)アレイは電界放出,シリコン技術での相互接続,化学・バイオセンシングなどの諸応用の開発には不可欠である。CNTの合成は文献で広範囲に述べられていても,CNT成長自身を触媒する金属以外は純金属表面上の均一で高整列CNTアレイの成長についての有効な成功は見られなかった。本文では,低温(550~700°C)で2金属鉄/アルミナ複合触媒を用いて純金属,合金および導電性セラミック上で整列CNTアレイを成長させる方法を記述する。鉄触媒へのアルミナの添加は,金属上のCNT成長の障壁となることが伝統的に証明されている触媒-金属下層相互作用をかなり低減させると思われる。このアルミナもまた鉄の表面拡散を最小化し,高密度均一分散触媒ナノ粒子を形成でき,高整列CNTアレイ用の核形成サイトとして作用させる。触媒からの非導電性アルミナが存在するにもかかわらず,CNTと金属下層との接触抵抗は非常に小さいことを観測した。これは実用的な応用に本手法が有用であることを強調している。このプロセスにより,商用の鋼板上でも整列CNTを成長させるのに成功した。更に,このプロセスは任意の形状やサイズの基板に適用できる。(翻訳著者抄録)
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その他の無機化合物の結晶成長 
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