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J-GLOBAL ID：201202208683253178   整理番号：12A1617744

ゾル-ゲル-誘導結晶質ZrO₂-Y₂O₃薄膜のキャラクタリゼーション

Characterization of Sol-Gel-Derived Crystalline ZrO₂-Y₂O₃ Thin Films

著者 (2件)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ.) ,  NISHIDE Toshikazu (Nihon Univ.)
資料名： 日本大学工学部紀要  (Journal of the College of Engineering, Nihon University)
巻： 54  号： 1  ページ： 21-27  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： G0810A  ISSN： 1343-2885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空気中,350~700°C温度で複合体ゲル膜を利用して焼成し,Si(001)基板上にゾル-ゲル-誘導YドープZrO₂(ZrO₂-Y₂O₃)薄膜成長に成功した。こうしてつくった薄膜はゾル-ゲル-誘導ZrO₂薄膜におけるよりも優れたMOSキャパシタ内部漏れ電流の改善を示した。原子間力顕微鏡観察によれば,ZrO₂薄膜の場合と比較して,700°Cで焼成した結晶質の膜が明らかに無亀裂状態の構造を示した。この複合材料膜中のY成分が焼成プロセス中におけるこの膜の焼結縮み現象を低減して,結果的に表面を高度に平滑化し,これによってこの複合膜の界面へのAl電極接着強度を向上させて,しかも薄膜特性を改善している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ゾル-ゲル法 ,  エレクトロセラミック ,  薄膜成長 ,  結晶成長 ,  焼成 ,  キャラクタリゼーション ,  CMOS構造 ,  *誘電材料 ,  *誘電体薄膜 ,  酸化ジルコニウム ,  酸化イットリウム ,  薄膜コンデンサ ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  MOS構造

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾル-ゲル ,  誘導 ,  ZrO2 ,  Y2O3 ,  薄膜 ,  キャラクタリゼーション