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J-GLOBAL ID：201202208720423976   整理番号：12A1443932

SiGe量子ドット分子の異種核形成及び成長の定量的モデル

Quantitative Model of Heterogeneous Nucleation and Growth of SiGe Quantum Dot Molecules

著者 (4件)： HU Hao (Univ. Utah, Utah, USA) ,  HU Hao (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  GAO Hongjun (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Feng (Univ. Utah, Utah, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 109  号： 10  ページ： 106103.1-106103.5  発行年： 2012年09月07日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 半導体材料 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *量子ドット ,  核形成 ,  *成長 ,  モデル ,  理論 ,  歪 ,  結合 ,  穴 ,  薄膜 ,  ヘテロエピタクシー ,  長さ ,  障壁 ,  エネルギー
準シソーラス用語： 量子ドット分子 ,  ピット

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  量子ドット分子 ,  核形成 ,  成長 ,  定量 ,  モデル