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J-GLOBAL ID：201202208819589710   整理番号：12A1738515

ZnOナノロッドの光刺激抵抗スイッチング

Photo-stimulated resistive switching of ZnO nanorods

著者 (4件)： PARK Jinjoo (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang, KOR) ,  LEE Seunghyup (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang, KOR) ,  LEE Seunghyup (Samsung Advanced Inst. of Technol., Gyeonggi-do, KOR) ,  YONG Kijung (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 38  ページ： 385707,1-6  発行年： 2012年09月28日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)素子への応用から抵抗スイッチングが広範に研究されている。本論文では,光刺激を用いて抵抗スイッチングを活性化する方法を示した。まず,明状態と暗状態における抵抗スイッチング挙動を比較し,光子による抵抗スイッチングメモリの機構を示した。次に,電気刺激ではなく光子変調のみで抵抗スイッチングを実現した。モデル系にZnOナノロッドを用いて,光刺激抵抗スイッチングを実証した。光駆動した表面状態は光伝導率と抵抗状態に強く影響した。

シソーラス用語： *光刺激 ,  *酸化亜鉛 ,  半導体材料 ,  ナノロッド ,  *スイッチング ,  半導体メモリ ,  光伝導
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnOナノロッド ,  光刺激 ,  抵抗スイッチング