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J-GLOBAL ID：201202208870509496   整理番号：12A0340826

非極性a-GaN/InGaN量子井戸構造中の深いトラップと増強光ルミネセンス効率

Deep traps and enhanced photoluminescence efficiency in nonpolar a-GaN/InGaN quantum well structures

著者 (9件)： POLYAKOV A. Y. (School of Advanced Materials Engineering and Res. Center for Advanced Materials Dev., Chonbuk National Univ., Chonju ...) ,  JANG Lee-woon (School of Advanced Materials Engineering and Res. Center for Advanced Materials Dev., Chonbuk National Univ., Chonju ...) ,  JO Dong-seob (School of Advanced Materials Engineering and Res. Center for Advanced Materials Dev., Chonbuk National Univ., Chonju ...) ,  LEE In-hwan (School of Advanced Materials Engineering and Res. Center for Advanced Materials Dev., Chonbuk National Univ., Chonju ...) ,  SMIRNOV N. B. (Inst. of Rare Metals, Moscow, 119017, B. Tolmachevsky, 5, RUS) ,  GOVORKOV A. V. (Inst. of Rare Metals, Moscow, 119017, B. Tolmachevsky, 5, RUS) ,  KOZHUKHOVA E. A. (Inst. of Rare Metals, Moscow, 119017, B. Tolmachevsky, 5, RUS) ,  HYEON BAIK Kwang (Opto-Electronics Lab., Korea Electronics Technol. Inst., Gyeonggido 463-816, KOR) ,  HWANG Sung-min (Opto-Electronics Lab., Korea Electronics Technol. Inst., Gyeonggido 463-816, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 3  ページ： 033103  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非極性[11-20]a-GaN/InGaN量子井戸(QW)構造を,サファイアのr面[1-102]基板上に二段階成長手順で有機金属化学蒸着で成長させた。著者らの研究により,極性QWとは対照的に,この構造はアドミタンススペクトル中に活性化エネルギー0.41eVの深い電子トラップとキャパシタンス過渡スペクトル中に1eVの電子トラップを持つこと示した。これらのトラップは非放射再結合中心かもしれず,極性構造との比較でこの構造の非極性QW光ルミネセンス(PL)効率を減らしている疑いがある。非極性QWのPL効率は,銀ナノ粒子により生成した局在表面プラズモンとの結合により,大幅に増大することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *非極性 ,  *窒化ガリウム ,  *量子井戸 ,  サファイア ,  MOCVD ,  *活性化エネルギー ,  捕獲中心 ,  再結合中心 ,  *無放射遷移 ,  *光ルミネセンス ,  銀 ,  ナノ粒子 ,  *深い準位 ,  化合物半導体 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  静電容量 ,  表面プラズモン
準シソーラス用語： アドミタンス ,  キャパシタンス ,  局在表面プラズモン ,  *窒化インジウムガリウム

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非極性 ,  GaN ,  InGaN ,  量子井戸 ,  トラップ ,  増強 ,  光ルミネセンス