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J-GLOBAL ID：201202208891801901   整理番号：12A0215135

立方テクスチャ構造を持つNi上における有機金属化学蒸着によるCdTe薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of CdTe thin film on cube-textured Ni by metal-organic chemical vapor deposition

著者 (9件)： GAIRE C. ,  RAO S. ,  RILEY M. ,  CHEN L. ,  GOYAL A. ,  LEE S. ,  BHAT I. ,  LU T.-m. ,  WANG G.-c.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 6  ページ： 1862-1865  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方テクスチャ構造を持つNi(100)基板上に,有機金属化学蒸着によって単結晶型のCdTe薄膜を成長させた。X線極点図測定によって,[1-10]_CdTe∥[010]_Niおよび[11-2]_CdTe∥[100]_Niと{111}_CdTe∥{001}_Niのエピタキシャル関係を観測した。CdTe薄膜の(111)極点図における12の回折ピーク,およびNi基板の(111)極点図における四つのピーク位置に関するそれらの相対的位置は,CdTeの[1-10]方向およびNiの[010]方法に整合した3~4の超格子を含むCdTeの4つの等価な配向ドメインと矛盾しないことが分かった。電子の後方散乱回折像は,CdTeのドメインが互いに30°配向していることを示している。これらの構造品質の優れた薄膜は,低コストのオプトエレクトロニクス素子への応用に適すると考えられる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： MOCVD ,  *テルル化カドミウム ,  化合物半導体 ,  エピタクシー ,  基板 ,  ニッケル ,  立方晶系 ,  *半導体薄膜 ,  X線回折 ,  極点図 ,  結晶方位 ,  優先配向 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 走査電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： テクスチャ ,  Ni ,  有機金属化学蒸着 ,  CdTe ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長