ヘテロエピタキシャルas-grown 3C-SiC中の深い準位

文献

J-GLOBAL ID：201202208904016397 整理番号：12A0251208

Deep levels in hetero-epitaxial as-grown 3C-SiC

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資料名：
巻： 1292 ページ： 63-66 発行年： 2010年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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