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J-GLOBAL ID：201202209286693850   整理番号：12A1212756

中間バンド太陽電池の電流電圧特性に及ぼすi領域のInAs/GaAs量子ドット層の位置影響の理論研究

Theoretical study of the effects of InAs/GaAs quantum dot layer’s position in i-region on current-voltage characteristic in intermediate band solar cells

著者 (5件)： GU Yong-xian (Key Lab. of Semiconductor Materials, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  YANG Xiao-guang (Key Lab. of Semiconductor Materials, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  JI Hai-ming (Key Lab. of Semiconductor Materials, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  XU Peng-fei (Key Lab. of Semiconductor Materials, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  YANG Tao (Key Lab. of Semiconductor Materials, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 8  ページ： 081118-081118-4  発行年： 2012年08月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： i領域における量子ドット層の位置を変えて,InAs/GaAs量子ドット中間バンド太陽電池の電流電圧特性を理論的に調べた。開路電圧,短絡電流密度,曲線因子,変換効率は全て量子ドットの位置と共に変化する。中間バンド中の発光係数が小さいと,中間バンドは再結合エネルギー準位の役割を主に果たす。発光係数が改善されれば,最高量子ドット層性能を保証するために,量子ドット層は適当な範囲に置くべきである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *量子ドット ,  超伝導体 ,  *電流電圧特性 ,  電圧 ,  電流密度 ,  効率 ,  パラメータ ,  依存性 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 位置依存性 ,  開路電圧 ,  曲線因子 ,  短絡電流密度 ,  変換効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 中間バンド太陽電池 ,  電流電圧特性 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  理論 ,  研究