文献

J-GLOBAL ID：201202209365412689   整理番号：12A0211572

量子ドット中間バンド太陽電池の進歩

ADVANCES IN QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS

著者 (8件)： ANTOLIN E. (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  MARTI A. (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  LINARES P. G. (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  RAMIRO I. (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  HERNANDEZ E. (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  FARMER C. D. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  STANLEY C. R. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  LUQUE A. (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 35th Vol.1  ページ： 65-70  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いくつかのグループがInAs/GaAs量子ドット(QD)から作製される中間バンド太陽電池について報告している。この太陽電池はサブバンドギャップフォトンエネルギーの量子効率(QE)を示す。しかし,このQEは価電子帯(VB)から中間バンド(IB)への遷移によるフォトン吸収によるものである。IBから伝導帯(CB)への遷移によるフォトン吸収は弱く,通常キャリア脱出に置き換えられる。この機構は出力電圧の保存とは整合せず,したがって,IBSCモデルによって予想される高効率にはつながらない。ここでは,現在のQB-IBSCにおいてIB-CBキャリア脱出に対する熱及びトンネリング機構の貢献を議論する。実験から以下のことが分かった。トンネル脱出が抑制されるQD-IBSCプロトタイプでは,サブバンドQEは十分な低温では抑制され,トンネル脱出が起こった時には,開回路電圧(V_oc)を制限するものはIBSC理論モデルが述べているように基本半導体バンドギャップである。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *量子ドット ,  バンド構造 ,  *化合物半導体 ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  量子効率 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  温度依存性

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子ドット ,  中間バンド太陽電池