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J-GLOBAL ID：201202209423135178   整理番号：12A0233708

三段階同時蒸着によって堆積させた広バンドギャップ(AgCu)(InGa)Se₂吸収層

WIDE-BANDGAP (AgCu)(InGa)Se₂ ABSORBER LAYERS DEPOSITED BY THREE-STAGE CO-EVAPORATION

著者 (4件)： HANKET Gregory M. (Univ. Delaware, DE, USA) ,  BOYLE Jonathan H. (Univ. Delaware, DE, USA) ,  SHAFARMAN William N. (Univ. Delaware, DE, USA) ,  TEETER Glenn (National Renewable Energy Lab., CO, USA)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 35th Vol.5  ページ： 3425-3429  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Se入射放射束とステージ1基板温度を変えることで,三段階同時蒸着プロセスでGa/(In+Ga)=0.8の広バンドギャップ(AgCu)(InGa)Se₂吸収層を堆積させた。膜は好ましい(204)/(220)配向と表面近くにGa不足ノッチを示した。アンプルアニールしたインゴットに対して以前報告した黄銅鉱-黄銅鉱型組成分離の予備的証拠を観測した。Ag取り入れによって,広バンドギャップデバイスの効率がAgなしの8%からAg/(Ag+Cu)=0.75の12%まで向上した。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  銀化合物 ,  銅化合物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  同時蒸着 ,  光学ギャップ ,  黄銅鉱型結晶 ,  基板温度 ,  光吸収 ,  太陽電池 ,  X線回折分析 ,  エネルギー変換効率 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： 化合物系太陽電池 ,  光学バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 段階 ,  同時蒸着 ,  堆積 ,  バンドギャップ ,  Inga ,  吸収層