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J-GLOBAL ID：201202209594512689   整理番号：12A0972696

変化曲率補償,1.6V,17μA,5.2ppm/°Cバンドギャップリファレンス

A 1.6-V 17-μA 5.2-ppm/°C bandgap reference with mutative curvature-compensation

著者 (8件)： ZHOU Zekun (Univ. Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN) ,  SHI Yue (Univ. Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN) ,  SHI Yue (Chengdu Univ. Information Technol., Chengdu, CHN) ,  ZHU Peisheng (Univ. Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN) ,  MA Yingqian (Univ. Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN) ,  WANG Huiying (Univ. Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN) ,  MING Xin (Univ. Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN) ,  ZHANG Bo (Univ. Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN)
資料名： International Journal of Electronics  (International Journal of Electronics)
巻： 99  号： 4/6  ページ： 519-530  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0287B  ISSN： 0020-7217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高精度,高次変化曲率補償バンドギャップリファレンスを提案し,回路を工夫することで標準0.25μm BiCMOSを使って実証した。高次温度補償は,ダイナミック閾値MOSFET(DTMOS)により生成される変化補償項目,サブ閾値電流と基板電流,の使用で達成された。提案のバンドギャップリファレンスの温度係数は,2V電源電圧,-65°Cから140°Cの温度範囲で5.2ppm/°Cであった。電源電圧1.6Vから3Vの範囲で最大温度係数は9.9ppm/°Cであった。また,電源電圧1.6Vにおいて電流消費は17μAであった。さらに,電力除去比(PSRR)57.7dBが達成された。

シソーラス用語： *基準信号 ,  曲率 ,  温度補償 ,  精度 ,  *BiCMOS ,  閾値 ,  MOSFET ,  基板 ,  温度係数 ,  消費電力 ,  *回路設計
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  *バンドギャップリファレンス ,  高精度 ,  動的閾値

分類 (2件)： その他の電子回路  (NC05090X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 曲率 ,  補償 ,  バンドギャップリファレンス