文献

J-GLOBAL ID：201202209775804495   整理番号：11A1725197

プラスチック基板上のa-Si: H TFTの作成技術

Fabrication Techniques of a-Si:H TFT on Plastic Substrate

著者 (6件)： Yao Jianke (State Key Lab of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Materials and ...) ,  Xu Ningsheng (State Key Lab of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Materials and ...) ,  Deng Shaozhi (State Key Lab of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Materials and ...) ,  Chen Jun (State Key Lab of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Materials and ...) ,  She Juncong (State Key Lab of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Materials and ...) ,  Wang Bin (State Key Lab of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Materials and ...)
資料名： Yejing yu Xianshi  (Yejing yu Xianshi)
巻： 25  号： 4  ページ： 542-545  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1519A  ISSN： 1007-2780  CODEN： YYXIFY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ボトムゲート構造a-Si:H TFT配列を50μmの厚みを持つKapton Eプラスチック基板において300°Cで標準のPECVDプロセスによって積層した。a-Si:H膜の構造はIRスペクトルによって特徴付けた。a-Si:H膜とn+a-Si:H膜の電気伝導率を2プローブ法および4プローブ法によってそれぞれ測定する。H原子はa-Si:H膜に15.6%含まれていて,SiHおよびSiH_2基に主に現れる。a-Si:H膜の電気伝導率は8.2×10(-7)8.8×10(-6)S/cmで,n+a-Si:H膜のものは3.8×10(-3)S/cmである。TFTsには,5Vの閾電圧,2.5V/decのサブ閾値勾配,0.113cm2/(V s)の直線的機動性,および105のオンオフ流動比率がある。結果は,TFT-LCDとある他のフラットパネルディスプレイのスイッチアドレス可能回路にこのプロセスで製作したプラスチック基板のa-Si:HTFTsを使用することができるのを示している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： プリント基板 ,  アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  フラットパネルディスプレイ ,  電気伝導率 ,  ゲート【半導体】 ,  赤外スペクトル
準シソーラス用語： プラスチック基板 ,  a-Si:H ,  *TFT【トランジスタ】 ,  ボトムゲート ,  IRスペクトル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラスチック基板 ,  Si ,  TFT ,  作成技術