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J-GLOBAL ID：201202209836880769   整理番号：12A0584224

多量ドーピングされた単結晶及び多結晶のSiGeベースの量子ドット超格子の成長

Growth of heavily doped monocrystalline and polycrystalline SiGe-based quantum dot superlattices

著者 (5件)： HAUSER David ,  SAVELLI Guillaume ,  PLISSONNIER Marc ,  MONTES Laurent ,  SIMON Julia
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 13  ページ： 4259-4263  発行年： 2012年04月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々なSiGeベースの量子ドット超格子(QDSLs)を,効率的な熱電薄膜を大量生産する目的で,工業的化学気相成長法ツールを使用して成長した。最初に単結晶のSiGeベースのQDSLsの成長に関して報告する。SiGeスペーサー幅,並びにGeドットのサイズおよび密度を制御できた。大きいドット構造において,垂直に配向する振舞いが観測されたが,最も小さいドット(30-70nmの幅,3nmの高さ)においては観測されなかった。その場Bドーピングにより,5×10¹⁹~1×10²⁰cm^-3の密度の正孔濃度が得られた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体材料 ,  *量子ドット ,  *超格子 ,  熱電気変換 ,  分子配向 ,  添加 ,  ホウ素 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *SiGe ,  ボロン ,  垂直配向 ,  正孔濃度 ,  熱電変換

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドーピング ,  単結晶 ,  多結晶 ,  SiGe ,  量子ドット超格子 ,  成長