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J-GLOBAL ID：201202210144990317   整理番号：12A1422694

Cd蒸気下でのインジウムドープCdMnTe単結晶のアニーリング

Annealing of indium-doped CdMnTe single crystals under Cd vapors

著者 (8件)： ZHANG Jijun (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  WANG Linjun (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  MIN Jiahua (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  QIN Kaifeng (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  HUANG Jian (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  TANG Ke (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  LIANG Xiaoyan (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN) ,  SHEN Ping (School of Materials Sci. and Engineering, Shanghai Univ., Shanghai 200072, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 358  ページ： 12-15  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdMnTeの性質を改善するために,Cd蒸気雰囲気下でCd_1-xMn_xTe(x=0.2,CdMnTe)結晶をアニールした。擬化学平衡模型を採用してCdMnTeの点欠陥濃度を計算し,CdMnTeの化学量論からの最小偏差を維持するためのアニーリング条件を求めた。近赤外(NIR)透過分光法,IR透過顕微鏡法,電流電圧特性,ならびにIR透過率によりCd蒸気アニーリング前後のインジウムドープCdMnTeウエハを特性評価した。その結果は,インジウムドープCdMnTeウエハのMn組成が変化せず,Te介在物の濃度が(1~5)×10⁵cm^-3から(1~4)10⁴cm^-3まで減少し,電気抵抗率が(2.0~4.5)×10⁸Ωcmから(2.7~5.3)×10¹⁰Ωcmまで増大し,IR透過率が17%~21%から56%~59%まで高くなることを示した。したがって,インジウムドープCdMnTe結晶の構造的および電気的性質は,化学量論的Cd蒸気アニーリングにより明らかに改善されると結論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *単結晶 ,  *テルル化カドミウム ,  ドーピング ,  マンガン ,  インジウム ,  置換型固溶体 ,  Bridgman法 ,  焼なまし ,  雰囲気 ,  カドミウム ,  スペクトル ,  近赤外線 ,  点欠陥 ,  欠陥密度 ,  光学顕微鏡法 ,  光学顕微鏡 ,  *電流電圧特性 ,  透過率 ,  電気抵抗率 ,  化学量論 ,  キャラクタリゼーション ,  モデル
準シソーラス用語： 光透過スペクトル ,  光透過率 ,  赤外顕微鏡

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cd ,  蒸気 ,  インジウム ,  ドープ ,  単結晶 ,  アニーリング