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J-GLOBAL ID:201202210154203097   整理番号:12A0057443

TOPOとピリジンで被覆したCdSeナノ結晶の合成と特性化

Synthesis and characterization of CdSe nanocrystals capped with TOPO and pyridine
著者 (8件):
資料名:
巻: 339  号:ページ: 22-30  発行年: 2012年01月15日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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さまざまな大きさを有するTOPO(トリ-n-オクチルホスフィンオキシド)で被覆したCdSeナノ結晶を,わずかに改良したPeng法およびPeng法によって合成した。そして,TOPOで被覆したCdSeナノ結晶からピリジンで被覆したCdSeナノ結晶を,TOPOをピリジンで置換することによって生成した。粉末X線回折,X線光電子分光法(XPS),透過型電子顕微鏡法,フォトルミネセンス(PL)および時間分解PL(TRPL)分光法を適用することによって,TOPO被覆型およびピリジン被覆型のCdSeナノ結晶を詳細に調査した。分析した結果,CdSeナノ結晶の結晶品質と光学的特性が,TOPOからピリジンへの表面配位子の置換によって向上することが明らかになった。表面配位子の置換時に,CdSeの直径が減少したが,それは,TOPO分子が離れるに伴っ,表面のCdとSe原子が減少することに起因していた。TRPLの結果は,ナノ結晶中に存在する欠陥と不純物に起因したピリジン被覆型CdSeの局所的な光学遷移が,原型のTOPO被覆型CdSeからの光学遷移と比較して,抑制されていることを示唆した。ピリジン被覆型CdSeのPL青色シフトも観測され,PLとXPSの結果は,TOPOがピリジンによって置換されると,CdSeの表面電子密度が再分布されることを示唆していた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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塩  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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