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J-GLOBAL ID：201202210303360273   整理番号：12A0549296

N極性GaN緑色発光ダイオードの電子オーバフローと効率低下の抑制

Suppression of electron overflow and efficiency droop in N-polar GaN green light emitting diodes

著者 (5件)： AKYOL F. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  NATH D. N. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  KRISHNAMOORTHY S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  PARK P. S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  RAJAN S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 11  ページ： 111118-111118-4  発行年： 2012年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN緑色発光ダイオード(LED)のキャリアオーバフローと効率低下の直接相関を実験により実証した。また,プラズマ支援分子ビームエピタクシーで成長させた,電子遮断層を持たないN極性二重量子井戸LED中で最高400A/cm²の平坦な外部量子効率曲線を実証した。効果的キャリア注入とキャリアオーバフロー機構に対する高いポテンシャル障壁などの,N面極性の逆偏光場の優れた特性を利用してこれを達成した。LEDは低い(~2.3V)ターンオン電圧で動作することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *オーバフロー ,  *エネルギー変換効率 ,  多重量子井戸 ,  量子効率 ,  キャリア注入 ,  キャリア
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  効率低下 ,  *発光効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極性 ,  GaN ,  緑色発光ダイオード ,  電子 ,  オーバフロー ,  効率低下